Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
1200 V
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.6 V @ 20 A
Ток - Средний выпрямленный (Io)
54A
Ток - Обратная утечка при Vr
80 µA @ 1200 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-2L
Емкость при Vr, Ф
1373pF @ 0V, 1MHz