CBB017M12FM4

CBB017M12FM4
CBB017M12FM4
Номер детали:
CBB017M12FM4
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC, MODULE, 17 M, 1200 V, 33.8
Корпус:
Упаковка:
Tray
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$171.03
$171.03
18+
$137.16
$2468.88
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
Module
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация
4 N-Channel (Full Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
50A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 19mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
270nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6800pF @ 800V
Мощность - Максимальная
168W
Новейшие продукты
M2P45M12W2-1LA
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
M2TP80M12W2-2LA
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
BSS8402DW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
50V 3@10V,0.13A 500MV 1 N-CHANNE
SL3134KDW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 350M@4.5V,0.75A 150MW
SL3139KDW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 660MA 700M@2.5V,0.66A 150MW
NXVF6532M3TG01
onsemi
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
MSIE40N90-6
Bruckewell
N-MOSFET,40V,90A,DFN14X12
MSIE40N150-6
Bruckewell
N-MOSFET,40V,150A,DFN14X12