Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация
4 N-Channel (Full Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
50A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 19mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
270nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6800pF @ 800V
Мощность - Максимальная
168W