Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Поставщик Устройство Корпус
TO-247
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Ток - Обратная утечка при Vr
100 µA @ 650 V
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.65 V @ 20 A
Ток - Средний выпрямленный (Io)
50.1A
Емкость при Vr, Ф
716pF @ 1V, 1MHz