Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 450A, 15V
Конфигурация
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
545A
Vgs(th) (макс.) при Id
3.6V @ 125mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1272nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
38500pF @ 800V
Мощность - Максимальная
1.485kW (Tj)