Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-2
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.55 V @ 10 A
Ток - Обратная утечка при Vr
10 µA @ 650 V
Емкость при Vr, Ф
398pF @ 1V, 1MHz
Ток - Средний выпрямленный (Io)
30.4A