QSD10HCS120U
QSD10HCS120U
QSD10HCS120U
Номер детали:
QSD10HCS120U
Категория:
-
Производитель:
Описание:
1200v 10amp SiC Schottky Barrier
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
4935
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 50
Кол-во
Цена
Итого
50+
$2.15
$107.5
100+
$2.04
$204
500+
$1.82
$910
1000+
$1.71
$1710
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-220-2
Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Ток - Средний выпрямленный (Io)
10A
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
1200 V
Ток - Обратная утечка при Vr
250 µA @ 1200 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-220-2
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.8 V @ 10 A
Емкость при Vr, Ф
770pF @ 0V, 1MHz
Новейшие продукты
F1M
F1M
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.3V@1A 500NS 1A 1KV SOD-123FL
SS34F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 3A 550MV@3A
US1DF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1V@1A 50NS INDEPENDENT TYPE 1A 2
ES3JBF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3A 600V SMBF
ES2GB
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.25V@2A 35NS 2A 400V SMB(DO-214
LL60P
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
25V 100MA 600MV@30MA LL-34
US2MF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.65V@2A 75NS INDEPENDENT TYPE 2
SS310F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
100V INDEPENDENT TYPE 3A 850MV@3