Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Устройство Корпус
10-SIP
Рабочая температура
150°C
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
400pF @ 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
120V
Мощность - Максимальная
4W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4A, 10V