WNSC6D10650X6Q
WNSC6D10650X6Q
WNSC6D10650X6Q
Номер детали:
WNSC6D10650X6Q
Категория:
-
Производитель:
Описание:
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 3000
Кол-во
Цена
Итого
3000+
$1.24
$3720
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Ток - Средний выпрямленный (Io)
10A
Поставщик Устройство Корпус
TO-220F
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Корпус
TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Емкость при Vr, Ф
500pF @ 1V, 1MHz
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Ток - Обратная утечка при Vr
50 µA @ 650 V
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.45 V @ 10 A
Новейшие продукты
F1M
F1M
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.3V@1A 500NS 1A 1KV SOD-123FL
SS34F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 3A 550MV@3A
US1DF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1V@1A 50NS INDEPENDENT TYPE 1A 2
ES3JBF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3A 600V SMBF
ES2GB
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.25V@2A 35NS 2A 400V SMB(DO-214
LL60P
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
25V 100MA 600MV@30MA LL-34
US2MF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.65V@2A 75NS INDEPENDENT TYPE 2
SS310F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
100V INDEPENDENT TYPE 3A 850MV@3