Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 1mA
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Мощность - Максимальная
3.57W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (5x6)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 12A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
22.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2448pF @ 15V