CGD65A130SH2
零件编号：
CGD65A130SH2
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Cambridge GaN Devices
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
5013
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$8.31
$8.31
10
$5.63
$56.3
100
$4.27
$427
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
-
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
12V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.2V @ 4.2mA
最大栅源电压
+20V, -1V
供应商器件封装
16-DFN (8x8)
封装 / 外壳
16-PowerVDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
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