CGD65B130S2-T13
零件编号：
CGD65B130S2-T13
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Cambridge GaN Devices
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
6455
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$7.95
$7.95
10
$5.38
$53.8
100
$4.04
$404
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
场效应晶体管类型
-
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
场效应晶体管特性
Current Sensing
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.2V @ 4.2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.3 nC @ 12 V
最大栅源电压
+20V, -1V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
9V, 20V
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