EPC2012
零件编号：
EPC2012
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
EPC
描述：
GANFET N-CH 200V 3A DIE
封装：
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
零件状态
Discontinued at
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
最大功耗
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
5V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3A (Ta)
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.8 nC @ 5 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+6V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 3A, 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
145 pF @ 100 V
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