0755-8255-7985
info@lionfly.com.hk
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
技术资讯
关于我们
关于我们
联系我们
联系我们
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
联系我们
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品中心
分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET
单 FET、MOSFET
FQA65N20
零件编号:
FQA65N20
产品分类:
单 FET、MOSFET
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
封装:
Tube
包装:
数量:
5505
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
询价
库存
最小 : 200
数量
价格
总价
200
$5.28
$1056
产品参数
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
封装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
200 nC @ 10 V
最大栅源电压
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
5V @ 250µA
供应商器件封装
TO-3PN
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7900 pF @ 25 V
最大功耗
310W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
32mOhm @ 32.5A, 10V
最新产品
Vishay Siliconix
IRF510
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
了解更多
Vishay Siliconix
IRF9510
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
了解更多
Vishay Siliconix
IRFD9220
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
了解更多
Vishay Siliconix
IRF840
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
了解更多
Vishay Siliconix
IRFD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
了解更多
Vishay Siliconix
IRFD9113
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
了解更多
Vishay Siliconix
IRFD210
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
了解更多
Vishay Siliconix
IRFD9110
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
了解更多
info@lionfly.com.hk
244423507