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产品列表
G3035
零件编号:
G3035
产品分类:
-
制造商:
Goford Semiconductor
描述:
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
5194
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
G3035
询价
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$0.41
$0.41
10+
$0.25
$2.5
100+
$0.16
$16
500+
$0.12
$60
1000+
$0.1
$100
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
55mOhm @ 4A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
607 pF @ 15 V
最大功耗
1.4W (Tc)
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