GE12047BCA3
零件编号：
GE12047BCA3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
GE Aerospace
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 475A
封装：
Box
包装：
数量：
1601
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$2359.5
$2359.5
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
Module
配置
2 N-Channel (Dual)
供应商器件封装
Module
最大功率
1250W
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
475A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 160mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1248nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
29300pF @ 600V
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