GE17045EEA3
零件编号：
GE17045EEA3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
GE Aerospace
描述：
SIC 6N-CH 1700V 425A MODULE
封装：
Bulk
包装：
数量：
1605
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$11495
$11495
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
Module
供应商器件封装
Module
配置
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
最大功率
1250W
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1700V (1.7kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
425A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 160mA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
4.45mOhm @ 425A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1207nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
29100pF @ 900V
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