GE17080CDA3
零件编号：
GE17080CDA3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
GE Aerospace
描述：
MOSFET 2N-CH 1700V 765A MODULE
封装：
Bulk
包装：
数量：
1605
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$5929
$5929
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
Module
供应商器件封装
Module
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1700V (1.7kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 160mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
765A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
2.23mOhm @ 765A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2414nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
58000pF @ 900V
最大功率
2350W
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