IRF610
零件编号：
IRF610
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
封装：
Tube
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-220AB
封装 / 外壳
TO-220-3
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
140 pF @ 25 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.5Ohm @ 2A, 10V
最大功耗
36W (Tc)
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