IRFD9120
零件编号：
IRFD9120
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
封装：
Bulk
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
场效应晶体管类型
P-Channel
供应商器件封装
4-HVMDIP
封装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
最大功耗
1.3W (Ta)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
600mOhm @ 600mA, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
390 pF @ 25 V
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