SIEH4800EW-T1-GE3
零件编号：
SIEH4800EW-T1-GE3
产品分类：
-
制造商：
描述：
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
4600
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$6.8
$6.8
10+
$4.56
$45.6
100+
$3.67
$367
500+
$3.32
$1660
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
7.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
278 nC @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.15mOhm @ 20A, 10V
封装 / 外壳
8-PowerDFN
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
29000 pF @ 40 V
最大功耗
3.4W (Ta), 417W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8 BWL
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