SIJ5623DP-T1-GE3
零件编号：
SIJ5623DP-T1-GE3
产品分类：
-
制造商：
描述：
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
7600
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$2.61
$2.61
10+
$1.68
$16.8
100+
$1.14
$114
500+
$0.92
$460
1000+
$0.9
$900
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.6V @ 250µA
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
24mOhm @ 10A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1575 pF @ 30 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 26.1A (Tc)
最大功耗
4.1W (Ta), 32.9W (Tc)
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