SISS5708DN-T1-BE3
零件编号：
SISS5708DN-T1-BE3
产品分类：
-
制造商：
描述：
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
7575
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$2.72
$2.72
10+
$1.74
$17.4
100+
$1.18
$118
500+
$0.96
$480
1000+
$0.94
$940
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
150 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
23mOhm @ 10A, 10V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
7.5V, 10V
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8S
封装 / 外壳
PowerPAK® 1212-8S
最大功耗
5W (Ta), 65.7W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
975 pF @ 75 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
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