TP65H300G4JSGB-TR
零件编号：
TP65H300G4JSGB-TR
产品分类：
-
制造商：
描述：
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
5475
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$4.74
$4.74
10+
$3.13
$31.3
100+
$2.21
$221
500+
$2.02
$1010
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
最大栅源电压
±10V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.5 nC @ 10 V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
最大功耗
41.6W (Tc)
供应商器件封装
8-PQFN (5x6)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.8V @ 500µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
400 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
312mOhm @ 6.5A, 6V
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