AONR21311C
Número de pieza:
AONR21311C
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
LINEAR IC
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 5000
Cant.
Precio
Total
5000+
$0.27
$1350
10000+
$0.25
$2500
15000+
$0.24
$3600
25000+
$0.24
$6000
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
720 pF @ 15 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 250µA
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN-EP (3x3)
Disipación de Potencia (Máx.)
3.1W (Ta), 11W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
40mOhm @ 7A, 10V
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