TW048U65C,RQ
TW048U65C,RQ
TW048U65C,RQ TW048U65C,RQ
Número de pieza:
TW048U65C,RQ
Categoría:
-
Descripción:
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$30.53
$30.53
10+
$23.06
$230.6
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
132W (Tc)
Temperatura de Operación
175°C
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5V @ 1.6mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1362 pF @ 400 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
71mOhm @ 20A, 18V
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