E3M0900170J-TR
Número de pieza:
E3M0900170J-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-263
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$7.46
$7.46
10+
$5.01
$50.1
100+
$3.61
$361
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
41W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1700 V
Vgs (Máx.)
+19V, -8V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8 nC @ 15 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.2V @ 550µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
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