EJD01P820
EJD01P820
EJD01P820
Número de pieza:
EJD01P820
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
100V P-Channel Trench Power MOSF
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
10000
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$0.39
$0.39
20+
$0.37
$7.4
50+
$0.34
$17
100+
$0.32
$32
1000+
$0.3
$300
3000+
$0.28
$840
Estado de la Pieza
Active
Temperatura de Operación
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
-
Tipo de FET
P-Channel
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Tecnología
-
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
15A
Últimos productos
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-