FCP165N65S3R0
Número de pieza:
FCP165N65S3R0
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
2115
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 151
Cant.
Precio
Total
151+
$2.2
$332.2
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Vgs (Máx.)
±30V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
154W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 440mA
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