IMZA120R012M2HXKSA1
Número de pieza:
IMZA120R012M2HXKSA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IMZA120R012M2HXKSA1
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$26.94
$26.94
30+
$17.28
$518.4
120+
$16.72
$2006.4
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
480W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
129A (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V, 18V
Vgs (Máx.)
+23V, -7V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TO247-4-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5.1V @ 17.8mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
124 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4050 pF @ 800 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
16mOhm @ 57A, 18V
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