IMZA120R053M2HXKSA1
Número de pieza:
IMZA120R053M2HXKSA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IMZA120R053M2HXKSA1
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$10.67
$10.67
30+
$6.31
$189.3
120+
$5.35
$642
510+
$5.06
$2580.6
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Disipación de Potencia (Máx.)
182W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V, 18V
Vgs (Máx.)
+23V, -7V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TO247-4-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5.1V @ 4.1mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
30 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1010 pF @ 800 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
69mOhm @ 13A, 18V
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