Estado de la Pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN, 5 Leads
Tipo de Montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
3.9W (Ta), 166W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
46A (Ta), 300A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)