Estado de la Pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN, 5 Leads
Tipo de Montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Proveedor Dispositivo Paquete
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)