PJA3401-AU_R1_000A1
PJA3401-AU_R1_000A1
PJA3401-AU_R1_000A1
Número de pieza:
PJA3401-AU_R1_000A1
Categoría:
-
Descripción:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
3000
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$0.41
$0.41
10+
$0.25
$2.5
100+
$0.16
$16
500+
$0.12
$60
1000+
$0.1
$100
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
2.5V, 10V
Vgs (Máx.)
±12V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.25W (Ta)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.3V @ 250µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
72mOhm @ 3.6A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
633 pF @ 15 V
Últimos productos
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-