PJD100P04E-AU_L2_006A1
Número de pieza:
PJD100P04E-AU_L2_006A1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$3.74
$3.74
10+
$2.44
$24.4
100+
$1.7
$170
500+
$1.46
$730
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de FET
P-Channel
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±25V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252AA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 135A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
3W (Ta), 176W (Tc)
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