PJQ4455P-AU_R2_002A1
PJQ4455P-AU_R2_002A1
PJQ4455P-AU_R2_002A1
Número de pieza:
PJQ4455P-AU_R2_002A1
Categoría:
-
Descripción:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.36
$1.36
10+
$0.86
$8.6
100+
$0.57
$57
500+
$0.44
$220
1000+
$0.4
$400
2000+
$0.37
$740
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de FET
P-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs (Máx.)
±25V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
DFN3333-8
Disipación de Potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 43A (Tc)
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