AONR21311C
Référence :
AONR21311C
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
LINEAR IC
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 5000
Qté
Prix
Total
5000+
$0.27
$1350
10000+
$0.25
$2500
15000+
$0.24
$3600
25000+
$0.24
$6000
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 15 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Boîtier
8-PowerVDFN
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN-EP (3x3)
Dissipation de puissance (Max)
3.1W (Ta), 11W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 7A, 10V
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