CMS120N007WH
Référence :
CMS120N007WH
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC N-MOSFET,1200V,160A,TO-247HC
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$29.28
$29.28
10+
$21.33
$213.3
100+
$17.88
$1788
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
750W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 10mA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V, 20V
Vgs (Max)
-10V, +20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 20V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247HC-4L
Boîtier
TO-247-4L
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