FCP165N65S3R0
Référence :
FCP165N65S3R0
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
2115
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 151
Qté
Prix
Total
151+
$2.2
$332.2
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Vgs (Max)
±30V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 440mA
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