FCPF165N65S3R0L
FCPF165N65S3R0L
FCPF165N65S3R0L
Référence :
FCPF165N65S3R0L
Catégorie :
-
Description :
FCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET,
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
11630
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 181
Qté
Prix
Total
181+
$1.83
$331.23
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Boîtier
TO-220-3 Full Pack
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Dissipation de puissance (Max)
35W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1415 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 410µA
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-