H11F1M
H11F1M
H11F1M
Référence :
H11F1M
Catégorie :
-
Description :
OPTOISO 4.17KV 1CH MOSFET 6-DIP
Boîtier :
Conditionnement :
Box
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Nombre de canaux
1
输入类型
DC
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Taux de Transfert de Courant (Max)
-
Temps de Montée / Descente (Typ)
-
Tension - Sortie (Max)
30V
Courant - Continu Avant (If) (Max)
60 mA
Boîtier
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Fournisseur Dispositif Emballage
6-DIP
Température de fonctionnement
-40°C ~ 100°C
Courant de sortie / Canal
100mA
Taux de Transfert de Courant (Min)
-
Type de sortie
MOSFET
Tension Directe (Vf) (Typ)
1.3V
Vce Saturation (Max)
-
Tension - Isolation
4170Vrms
Temps d'Activation / Désactivation (Typ)
45µs, 45µs (Max)
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