ISC012N04NM7VATMA1
Référence :
ISC012N04NM7VATMA1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
ISC012N04NM7VATMA1
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.16
$2.16
10+
$1.38
$13.8
100+
$0.93
$93
500+
$0.74
$370
1000+
$0.69
$690
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V, 15V
Boîtier
8-PowerTDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 20 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TDSON-8
Dissipation de puissance (Max)
3W (Ta), 115W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
35A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.15V @ 46µA
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