IV1Q12080T4Z
Référence :
IV1Q12080T4Z
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO247-
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 120
Qté
Prix
Total
120+
$4.9
$588
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
300W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.10mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 20 V
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