IV2Q06025D7Z
Référence :
IV2Q06025D7Z
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 800
Qté
Prix
Total
800+
$6.59
$5272.01
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Dissipation de puissance (Max)
600W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 12mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3090 pF @ 600 V
Boîtier
TO-263-7
Derniers produits
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Scannez le QR code