IV2Q12160T4Z
Référence :
IV2Q12160T4Z
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
60
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$8.11
$8.11
10+
$5.49
$54.9
100+
$4.01
$401
500+
$3.38
$1690
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
136W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 800 V
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