IV2Q171R0D7Z
Référence :
IV2Q171R0D7Z
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN2, SIC MOSFET, 1700V 1000MOHM
Boîtier :
Conditionnement :
Strip
Quantité :
60
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$6.2
$6.2
10+
$4.14
$41.4
100+
$2.97
$297
500+
$2.47
$1235
1000+
$2.37
$2370
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
73W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Boîtier
TO-263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs
910mOhm @ 1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 380uA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
285 pF @ 1000 V
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