PJD100P04E-AU_L2_006A1
Référence :
PJD100P04E-AU_L2_006A1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.74
$3.74
10+
$2.44
$24.4
100+
$1.7
$170
500+
$1.46
$730
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
18A (Ta), 135A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
3W (Ta), 176W (Tc)
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