PJQ4455P-AU_R2_002A1
Référence :
PJQ4455P-AU_R2_002A1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.36
$1.36
10+
$0.86
$8.6
100+
$0.57
$57
500+
$0.44
$220
1000+
$0.4
$400
2000+
$0.37
$740
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de FET
P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±25V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Boîtier
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
DFN3333-8
Dissipation de puissance (Max)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 43A (Tc)
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