PJS6404-AU_S1_007A1
PJS6404-AU_S1_007A1
PJS6404-AU_S1_007A1
Référence :
PJS6404-AU_S1_007A1
Catégorie :
-
Description :
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3000
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.72
$0.72
10+
$0.44
$4.4
100+
$0.28
$28
500+
$0.21
$105
1000+
$0.19
$190
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Dissipation de puissance (Max)
2W (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Boîtier
SOT-23-6
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-6
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6.8A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 15 V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-