RQ3P270BLFRATCB
RQ3P270BLFRATCB
RQ3P270BLFRATCB RQ3P270BLFRATCB
Référence :
RQ3P270BLFRATCB
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3000
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.16
$2.16
10+
$1.37
$13.7
100+
$0.93
$93
500+
$0.74
$370
1000+
$0.69
$690
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
69W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V, 10V
Boîtier
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-HSMT (3.2x3)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 27A, 10V
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