WI71060TR
Référence :
WI71060TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2498
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.77
$7.77
10+
$5.98
$59.8
25+
$5.54
$138.5
100+
$5.05
$505
250+
$4.82
$1205
500+
$4.68
$2340
1000+
$4.56
$4560.01
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
700 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A (Tj)
Boîtier
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2A, 6V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
216 pF @ 400 V
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